ATO纳米粉体，ATO导电粉体，透明隔热材料，建筑节能材料，氧化锡纳米粉体

zhangjianrong

针对ATO纳米粉体及其难以分散成稳定的纳米浆料的实际情况，张建荣博士开发出低松装密度（0.6克/毫升）的ATO纳米粉体，该粉体的松装密度比国内同类产品低40%，大大降低了ATO纳米粉体的分散难度，提高了分散效率，极大改善了纳米浆料的可见光透过率、薄膜的表面均匀性。

中国科学院，国家重点实验室 张建荣 博士 多年来一直从事纳米氧化锡，ATO，ITO导电粉体，浆料以及溶胶的研究和开发，已发表20篇相关文章，其中SCI收录17篇，申请中国专利10项。我们可以大量提供纳米氧化锡，ATO，ITO纳米导电粉体，浆料和溶胶，并可以根据要求进行特殊处理，我们的纳米氧化锡的纯度大于99.99%，（国内其他公司还无法提供纯度在99.9%以上的）比表面积大于80，量大优惠！我们还可以提供ATO导电浆料，产品非常稳定，并且pH值在3—12之间可以任意调整。
我们可以提供SnO2溶胶，其中含有N，O，H，C等元素，不含有严重影响材料性能的Cl-离子。同时可以提供ATO，ITO溶胶
欢迎广大的公司，研究同仁进行交流，合作！
联系方法 张建荣 13818042486, leaftiger@sina.com
国内透明导电氧化物第一人！已发表论文26篇，其中SCI收录第一作者18篇。作为实际完成人申请中国发明专利10项，已授权6项。
我们提供以下产品和技术：
1） 纳米氧化锡粉体，可以按照客户需要对粉体粒径、纯度、特定离子的掺杂进行有效调控。
2） 纳米锑掺杂氧化锡（ATO）导电粉体，锑含量可调。
3） 纳米氧化铟锡（ITO）导电粉体。
4） 氧化锡（锑）溶胶。
5） 氧化铟（锡）溶胶。
6） 上述粉体的纳米浆料，溶剂可按照需要。浆料中纳米粉体的粒度最小可达10纳米（针对氧化锡粉体）。
我们发表的文章专利
（1） Jianrong Zhang, and Lian Gao. Synthesis of SnO2 nanoparticles by the sol-gel method from granulated tin, Chem. Lett., 2003, 32(5), 458-459.
（2） Jianrong Zhang, and Lian Gao. Synthesis and characterization of antimony-doped tin oxide (ATO) nanoparticles, Inorg. Chem. Comm., 2004, 7, 91-93
（3） Jianrong Zhang, and Lian Gao. Synthesis and characterization on nanocrystalline tin oxide by a sol-gel method, J. Solid State Chem.， 2004, 177, 1425-1430
（4） Jianrong Zhang, and Lian Gao. Antimony-Doped Tin Oxide (ATO) Nanocrystallites Prepared by a Combustion Process, Mater. Lett.，2004, 58（22-23），2730-2734
（5） Jianrong Zhang, and Lian Gao. Synthesis and Characterization of Antimony-Doped Tin Oxide (ATO) Nanoparticles by a New Hydrothermal Method. Mater. Chem. Phys., 2004，87（1），10-13
（6） Jianrong Zhang, and Lian Gao. Synthesis of Antimony-doped tin oxide (ATO) particles by the nitrate-citrate combustion method. Mater. Res. Bull., 2004, 39，2249-2255
（7） G. Q. Zhong, H. L. Zhou, J. R. Zhang, et al. A Simple Method for Preparation of Bi and Sb Metal Nanocrystalline Particles, Mater. Lett., 2005, 59, 2252-2256
（8） R. R. Jia, C. P. Wu, Y. X. Yang, Y. R. Chen, J. R. Zhang, et al. Preparation of New Amino Acid Complex Nanoparticles of Bismuch and Leuctine, Amino Acid, 2005, 28, 409-412
（9） Jianrong Zhang, Lian Gao and Minghai Chen, SPS Sintering of High Density of Antimony-doped Tin Oxide Ceramics from Nanoparticles J. Am. Ceram. Soc. 2006, 89, 3874-3876
(10) Jianrong Zhang, Lian Gao and Minghai Chen, A Novel Solvothermal to Synthesize one-dimensional Chains of Indium tin oxide Nanoparticles Mater. Lett. 2007，61，2671-2674
(11) 张建荣，高濂，纳米晶Sb掺杂SnO2（ATO）粉体的合成与表征，高等学校化学学报，2003，24（9），1544-1547
(12) 张建荣，高濂，Sb掺杂SnO2（ATO）纳米晶的水热合成和导电性能，化学学报，2003，61（10），1679-1681
(13) 张建荣，高濂，纳米晶氧化锡的水热合成与表征，化学学报，2003，61（12），1965-1968
（14）张建荣，高濂，纳米晶SnO2粉体的合成，无机化学学报，2003，19（6），641-644
（15）张建荣，高濂，ATO纳米粉体的燃烧合成研究，无机化学学报，2004，20（7），801-804
（16）张建荣，高濂， 顾达，络合法合成Sb掺杂SnO2（ATO）纳米粉体，无机材料学报，2003，18（4），923-928
（17）张建荣，高濂， 水热法合成纳米SnO2粉体，无机材料学报，2004，19（5），1177-1180
（18）张建荣，高濂， SnO2纳米晶的合成表征与气敏性能研究，无机材料学报，2005，20（2）445-449
（19）张建荣， 顾达，高濂，杨云霞，纳米ATO粉体的制备及性能研究，硅酸盐通报，2003，（4），3-6
（20）张建荣，高濂 纳米Sb掺杂SnO2（ATO）导电粉体合成与应用研究，2003年中国纳微粉体制备与技术应用研讨会论文集，中国北京，2003
（21）张建荣，顾达，杨云霞，Sb掺杂SnO2纳米粉体的结晶行为和电学性能，应用化学，2002，19（6），552-555
（22）张建荣，顾达，杨云霞，湿化学法制备纳米ATO导电粉，功能材料，2002，33（3），300-302
（23）张建荣，曹洋，Yulsang You，高濂，铟锡氧化物ITO纳米粉体的共沉淀法合成，无机化学学报，2005，21（12），1887-1890
（24）张建荣，顾立新，高濂，水热法合成单分散性锑掺杂氧化锡纳米导电粉体，硅酸盐学报，2006，34（4），417-421
(25) 张建荣， 透明导电氧化物材料的研究与开发，新材料产业，2006 （8），53-56
（26）张建荣，高濂，顾立新，水热合成纳米氧化锡粉体的烧结性能，无机化学学报，2006，22（11），80-83


申请中国发明专利10项：
（1） 顾达，曹富基，张建荣，一种掺锑二氧化锡导电粉体的制备方法，中国专利申请号：01113010.5 （已授权）
（2） 高濂，张建荣，纳米氧化锡粉体的制备方法，中国专利申请号：03115829.3（已授权）
（3） 高濂，张建荣，浅色锑掺杂纳米氧化锡粉体的制备方法，中国专利申请号：03115830.7（已授权）
（4） 高濂，张建荣，一种掺锑的氧化锡无机纳米导电粉体的制备方法，中国专利申请号：200310108073.4（已授权）
（5） 高濂，张建荣，一种氧化锡粉体的制备方法，中国专利申请号：200310108633.6（已授权）
（6） （6）高濂，张建荣，氧化锡纳米粉体的制备方法，中国专利申请号：200310107905.0（已授权）
（7）高濂，张建荣，锑掺杂氧化锡导电粉体的水热合成方法，中国专利申请号：200410016326.x
（8）张建荣， 等，一种锡掺杂氧化铟纳米粉体的制备方法，中国专利申请号：200510110585.3
（9）张建荣， 等，一种高烧结活性ITO粉体的制备方法，中国专利申请号：200510111243.3
（10）张建荣， 等，一种纳米氧化锡的制备方法，中国专利申请号：200510111244.8

daniel071732

你们这边的ATO和ITO浆料一公斤要多少

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